产品中心
激光器产品
产品参数 DFB 外延片 EML 外延片 FP 外延片
速率 2.5G/10G/25G 10G/25G/56G 2.5G/10G/25G
波长 1270nm/1310nm/1490nm/1550nm 1310nm/1550nm/1577nm 1310nm/1550nm
尺寸 2inch/3inch 2inch/3inch 2inch/3inch
产品特色 GPONXGPONXGSPON、BIDI
光栅工艺(全息光栅、电子束曝光、纳米压印)
SAG和Butt joint工艺 小发散角
产品说明   半导体激光器包括DFB、EML和FP等三大类,覆盖波长从1270nm到1610nm,应用于GPON、XGPON、XGSPON、FTTR、CWDM/DWDM、BIDI等光通信网络。全磊光电拥有零缺陷外延生长工艺和百纳米级光栅平台,激光器外延片已量产多年,产品良率高、可靠性好。全磊光电还拥有含Al材料侧向掩埋工艺和耦合异质对接生长工艺,可满足不同应用产品的制造需求。
探测器产品
产品参数 APD 外延片 PIN 外延片 MPD 外延片
速率 2.5G/10G/25G 2.5G/10G/25G/50G
尺寸 2inch/3inch/4inch 2inch/3inch/4inch 2inch/3inch/4inch
产品特色 Zn扩散工艺
低暗电流 Zn扩散工艺
产品说明   半导体探测器包括APD、PIN和MPD三大类,覆盖波长从650nm-1700nm,GPON、XGPON、XGSPON等光网络皆适用。PD的工作原理为(1)探测器PN结形成内建电场;(2)光入射到半导体内产生电子空穴对,并在电场作用下定向流动而产生光电流;(3)光电流导出为输出信号。探测器通常需要针对工作波长具有高的灵敏度,高响应速率、低的暗电流和高可靠度。APD是在PD的基础上采用雪崩倍增效应,将接收到的光电流放大,提升探测灵敏度。全磊光电PD及APD探测器产品已稳定量产多年,且可为客户提供Zn扩散服务。