产品中心
激光器产品
产品参数 DFB 外延片 EML 外延片 FP 外延片
速率 2.5G/10G/16G/25G 10G/56G 2.5G/10G/25G
波长 1270nm/1310nm/1490nm/1550nm 1310nm/1550nm/1577nm 1310nm/1550nm
尺寸 2inch/3inch 2inch/3inch 2inch/3inch
产品特色 GPONXGPONXGSPON、BIDI
光栅工艺(全息光栅、电子束曝光、纳米压印)
SAG和Butt joint工艺 小发散角
产品说明   半导体激光器包括DFB、EML和FP等三大类,覆盖波长从1270nm到1610nm,满足CWDM/DWDM、BIDI、EPON、GPON、XGPON、XGSPON等光通信网络的应用要求。全磊光电DFB激光器采用AlGaInAs和InGaAsP多量子阱结构,光栅工艺包括全息光栅工艺、纳米压印工艺和电子束曝光工艺,可满足不同应用产品的制造需求。全磊光电EML激光器集成了DFB激光器和电调制吸收区(EA),具有带宽高、啁啾低、调制消光比高和结构紧凑等特点。电调制吸收区可采用选区外延生长工艺(SAG)和耦合异质对接生长工艺(Butt-joint)。此外,全磊光电还具有小发散角DFB外延生长工艺,掩埋异质结(BH-DFB)外延生长工艺,对接无源波导外延生长工艺,半绝缘限制外延生长工艺等,满足高速外延片制造的需求。
探测器产品
产品参数 APD 外延片 PIN 外延片 MPD 外延片
速率 2.5G/10G/25G 2.5G/10G/25G/50G
尺寸 2inch/3inch/4inch 2inch/3inch/4inch 2inch/3inch/4inch
产品特色 盖革模式APD
Zn扩散工艺 Zn扩散工艺
产品说明   半导体探测器包括APD、PIN和MPD三大类,覆盖波长从650nm-1700nm,GPON、XGPON、XGSPON等光网络皆适用。PD的工作原理为(1)探测器PN结形成内建电场;(2)光入射到半导体内产生电子空穴对,并在电场作用下定向流动而产生光电流;(3)光电流导出为输出信号。探测器通常需要针对工作波长具有高的灵敏度,高响应速率、低的暗电流和高可靠度。APD是在PD的基础上采用雪崩倍增效应,将接收到的光电流放大,提升探测灵敏度。全磊光电PD及APD探测器产品已稳定量产多年,且可为客户提供Zn扩散服务。